實時時鐘模塊

 

產品分類

全溫度補償的高精度實時時鐘-SD2500系列 


內置晶振、電池、串行NVSRAM/EEPROM、70字節用戶SRAM、電池電壓檢測、64位ID碼

 

概述:

      SD2500系列是一種具有內置晶振、支持IIC串行接口的高精度實時時鐘芯片,CPU可使用該接口通過7位地址尋址來讀寫片內122字節寄存器的數據(包括時間寄存器、報警寄存器、控制寄存器、用戶SRAM寄存器及ID碼寄存器)。SD2500系列內置晶振,該芯片可保證在25℃下時鐘精度小于±5ppm,即年誤差小于2.6分鐘;該系列芯片內置時鐘精度溫度補償功能,實現在常溫及寬溫范圍內不需用戶干預、全自動、全電源環境補償的高精度、高可靠計時功能。SD2500系列內置的一次性工業級電池或充電電池可保證在外部掉電情況下時鐘使用壽命為5~8年時間。SD2500系列采用了多種提高芯片可靠性的技術,可滿足對實時時鐘芯片的各種需要,是在選用高精度實時時鐘時的理想選擇。

   

主要性能特點: 

      >低功耗: 0.8μA 典型值(VBAT =3.0V,Ta=25℃)。   

      >工作電壓:2.7V~5.5V。 

      >標準IIC總線接口方式,最高速度400KHZ(4.5V~5.5V)。

      >年、月、日、星期、時、分、秒的BCD碼輸入/輸出,并可通過獨立的地址訪問各時間寄存器。

      >閏年自動調整功能(從2000年~2099年)。

      >可選擇12/24小時制式.

      >內置年、月、日、星期、時、分、秒共7字節的報警數據寄存器及1字節的報警允許寄存器,共有96種組合報警方式,并有單事件報警和周期性          報警兩種中斷輸出模式,報警時間最長可設至100年。

      >周期性頻率中斷輸出:從4096Hz~1/16Hz……1秒共十四種方波脈沖. 

      >自動重置的三字節共24位的倒計時定時器,可選的4種時鐘源(4096HZ、1024HZ、1秒、1分鐘),最小定時為244us,最長定時可到31年,

        通過計算可獲得較精確的毫秒級定時值。

      >五種中斷均可選擇從INT腳輸出,并具有四個中斷標志位.

      >內置76字節通用SRAM寄存器可用于存儲用戶的一般數據。

      >具有可控的32768HZ方波輸出腳F32K,可以位允許/禁止32K輸出。

      >內置8bit轉換結果的數字溫度傳感器,為了節省電池電量消耗,設為VDD模式下60S間隔測溫一次,電池模式600S間隔測溫一次。

      >內置晶振和諧振電容,芯片內部通過精度補償方法,實現在寬溫范圍內高精度的計時功能,25℃精度<±5ppm。      

      >內置智能充電電路 ,其內部的3.3V穩壓電路可選擇性地對外接的充電電池進行自動充電,內置的充電限流電阻可位選2KΩ、5KΩ和10KΩ三種。

      >內置電池電壓檢測功能,可讀取當前電池電壓值(三位有效數),設置高低電池報警電壓值并從INT腳輸出中斷。

      >芯片依據不同的電壓自動從VDD切換到電池或從電池切換到VDD。當芯片檢測到主電源VDD掉到2.4V電壓以下且VDD小于電池電壓,芯片會轉          為后備電池供電;當VDD大于電池電壓或VDD大于2.4V,則芯片會轉為由VDD供電。(內置電源模式指示位PMF,VDD模式時PMF=0,VBAT

        模式時PMF=1)

      >在VBAT模式下,芯片具有中斷輸出允許或禁止的功能,可滿足在備用電池供電時輸出中斷的需要。

      >內置的充電電池及充電電路,在電池滿充時可保證內部時鐘走時超過半年,累計電池電量超過550mAh,電池使用壽命為5~8年時間;內置的

        一次性民用級電池使用壽命為3~5年,一次性工業級電池使用壽命為5~8年時間。

      >內置的16kbit~256kbit非易失性SRAM(C/D/E型),其讀寫次數為100億次,且內部寫延時小于300ns。

      >內置的2kbit~256kbitE2PROM(F/B/C/D/E型),其擦寫次數100萬次。

      >內置8字節的ID碼(OTP型),芯片出廠之前設定,全球唯一的身份識別碼。

      >內置IIC總線0.5秒自動復位功能(從Start命令開始計時),該功能可以避免IIC總線掛死問題。

      >內置三個時鐘數據寫保護位, 避免對數據的誤寫操作,可更好地保護數據。

      >內置軟件可控VBAT模式IIC總線通信禁止功能(BATIIC=0,VBAT模式下禁止IIC通信;BATIIC=1,VBAT模式下允許IIC通信.上電默認值                    BATIIC=0),從而避免在電池供電時CPU對時鐘操作所消耗的電池電量,也可避免在VDD上、下電的過程中因CPU的I/O端口所輸出的不受控的          雜波信號對時鐘芯片的誤寫操作,進一步提高芯片的可靠性。

      >內置上電指示位RTCF,當包括電池在內的所有電源第一次上電時該位置1。

      >內置電池電壓欠壓指示位BLF,當電池電壓低于2.2V時BLF位置1。

      >內置停振檢測位OSF,當內部振蕩器停止振蕩時該位置1。 

      >芯片管腳抗靜電(ESD)>2KV。

      >芯片在興威帆的評估板上可通過4KV的群脈沖(EFT)干擾。

    

型號列表:

 

 

   型          號     

晶振

電池類別

NVSRAM

EEPROM

SRAM

ID碼

溫度補償

  封裝形式  

SD2500A/C/D/EP

一次性

 

DIP24

SD2500F/B/C/D/ELP

一次性

 

DIP24

SD2501A/C/D/EP

充電

 

DIP24

SD2501F/B/C/D/ELP

充電

 

DIP24

SD2503API

-

 

 

DIP8

SD2505API

充電

 

 

DIP16

SD2506API 充電     DIP8

SD2507AP

一次性

 

-

DIP16

備注:1.后綴A/F/B/C/D/E:分別表示內置NVSRAM/EEPROM容量,分別為0/2/4/16/64/256Kbit。

          2.各型號均有工業級,其尾綴加“I”以示區分;SD2507APA-A為溫度范圍為-40℃~+125℃車規級產品。

 

 

管腳設置:  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

原理框圖:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

走時精度-溫度曲線圖:

 

 

 

 

 

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